JANコード 4560441091532
SAMSUNG|サムスン MZ-75E500B/IT 内蔵SSD 850 EVO 500GB /2.5インチ MZ75E500BIT
商品基本情報
商品イメージ | |
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コード番号 | 4560441091532 |
コードタイプ | JAN |
JANシンボル | |
商品名 | SAMSUNG|サムスン MZ-75E500B/IT 内蔵SSD 850 EVO 500GB /2.5インチ MZ75E500BIT |
会社名 | ITGマーケティング株式会社 |
会社名カナ | アイテイージーマーケテイング |
商品ジャンル | パソコン・周辺機器 > PCパーツ > 内蔵ドライブ・ストレージ > 内蔵SSD |
コメント | NANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。120GBモデルにおいては、前モデル840EVOと比べてランダム書き込みのパフォーマンスを約2.4倍(※)向上しました。※840EVO 120GBモデルの4KBランダム書き込み36000IOPSと比較。 |
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商品詳細情報
シリーズ | EVO |
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型番 | MZ-75E500B/IT |
増設インターフェース | SATA 3.0(6Gb/s) ※SATA 2.0(3Gb/s)およびSATA 1.0(1.5Gb/s)互換 |
容量 | 容量500GB |
フォームファクタ | 7mm厚2.5インチHDD互換 |
外形寸法(L×W×H) | 100 × 69.85 × 6.8 (mm) |
質量 | 最大66g |
NANDフラッシュ | Samsung 32層 3D V‐NAND |
コントローラ | Samsung MGX コントローラ (120GB, 250GB, 500GB) Samsung MEX コントローラ (1TB) |
キャッシュメモリ | Samsung 512MB Low Power DDR3 SDRAM |
シーケンシャル 読み出し | 540 MB/s |
シーケンシャル 書き込み | 520 MB/s |
4KBランダム(QD1) 読み出し | 10,000 IOPS (≒39MB/s) |
4KBランダム(QD1) 書き込み | 40,000 IOPS (≒156MB/s) |
4KBランダム(QD32) 読み出し | 98,000 IOPS (≒383MB/s) |
4KBランダム(QD32) 書き込み | 90,000 IOPS (≒352MB/s) |
ターボライトテクノロジー | ○ |
TRIMサポート | ○ ※OSが対応している場合 |
ガベージコレクション | ○ |
S.M.A.R.T(自己診断機能) | ○ |
セキュリティ | AES 256 bitフルディスク暗号化(FDE)、TCG/Opal V.2、Encrypted Drive(IEEE1667) |
WWN(World Wide Name) | ○ |
Device Sleep Mode (DevSleep) | ○ |
耐衝撃性 | 1,500G/0.5ms (Half sine) |
耐振動性 | (非動作時)20G(20~2000Hz) |
MTBF(平均故障間隔) | 150万時間 |
消費電力 | 動作時:4.4W 待機時:50mW デバイススリープモード時:2mW(1TBのみ4mW) |
温度範囲 | 0℃~70℃(動作時) -40℃~85℃(非動作時) |
湿度範囲 | 5%~95%(結露なきこと) |
データ移行ソフトウエア | Samsung Data Migration Ver2.7 (日本語対応) |
ユーティリティソフトウエア | Samsung Magician Software Ver4.5 (日本語対応) |
添付品 | NULL |
各種取得規格・法規制 | VCCI、RoHS指令準拠 |
TBW | 150 |
保証期間 | 5年間 |
製品サポート | Samsung SSDサポートセンターによる電話、メールサポート及び修理対応 |
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