JANコード 4560441091525
SAMSUNG サムスン 850 EVO MZ-75E250B IT
商品基本情報
| 商品イメージ |  |
|---|---|
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| コード番号 | 4560441091525 |
| コードタイプ | JAN |
| JANシンボル |  |
| 商品名 | SAMSUNG サムスン 850 EVO MZ-75E250B IT |
| 会社名 | ITGマーケティング株式会社 |
| 会社名カナ | アイテイージーマーケテイング |
| 商品ジャンル | パソコン・周辺機器 > PCパーツ > 内蔵ドライブ・ストレージ > 内蔵SSD |
| コメント | NANDフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大540MB/s、シーケンシャル書き込みは最大520MB/sを実現。120GBモデルにおいては、前モデル840EVOと比べてランダム書き込みのパフォーマンスを約2.4倍(※)向上しました。※840EVO 120GBモデルの4KBランダム書き込み36000IOPSと比較。 |
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商品詳細情報
| シリーズ | EVO |
|---|---|
| 型番 | MZ-75E250B |
| 増設インターフェース | SATA 3.0(6Gb/s) ※SATA 2.0(3Gb/s)およびSATA 1.0(1.5Gb/s)互換 |
| 容量 | 250GB |
| フォームファクタ | 7mm厚2.5インチHDD互換 |
| 外形寸法(L×W×H) | 100 × 69.85 × 6.8 (mm) |
| 質量 | 最大66g |
| NANDフラッシュ | Samsung 32層 3D V‐NAND |
| コントローラ | Samsung MGX コントローラ (120GB, 250GB, 500GB) Samsung MEX コントローラ (1TB) |
| キャッシュメモリ | Samsung 512MB Low Power DDR3 SDRAM |
| シーケンシャル 読み出し | 540 MB/s |
| シーケンシャル 書き込み | 520 MB/s |
| 4KBランダム(QD1) 読み出し | 10,000 IOPS （≒39MB/s） |
| 4KBランダム(QD1) 書き込み | 40,000 IOPS （≒156MB/s） |
| 4KBランダム(QD32) 読み出し | 97,000 IOPS （≒379MB/s） |
| 4KBランダム(QD32) 書き込み | 88,000 IOPS （≒344MB/s） |
| ターボライトテクノロジー | ○ |
| TRIMサポート | ○ ※OSが対応している場合 |
| ガベージコレクション | ○ |
| S.M.A.R.T(自己診断機能) | ○ |
| セキュリティ | AES 256 bitフルディスク暗号化(FDE)、TCG/Opal V.2、Encrypted Drive(IEEE1667) |
| WWN(World Wide Name) | ○ |
| Device Sleep Mode (DevSleep) | ○ |
| 耐衝撃性 | 1,500G/0.5ms (Half sine) |
| 耐振動性 | (非動作時)20G(20～2000Hz) |
| MTBF(平均故障間隔) | 150万時間 |
| 消費電力 | 動作時：4.4W 待機時：50mW デバイススリープモード時：2mW(1TBのみ4mW) |
| 温度範囲 | 0℃～70℃(動作時) -40℃～85℃(非動作時) |
| 湿度範囲 | 5％～95％(結露なきこと) |
| データ移行ソフトウエア | Samsung Data Migration Ver2.7 (日本語対応) |
| ユーティリティソフトウエア | Samsung Magician Software Ver4.5 (日本語対応) |
| 添付品 | NULL |
| 各種取得規格・法規制 | VCCI、RoHS指令準拠 |
| TBW | 75 |
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